鈴木博人

第3の磁性体に光　軟X線とシミュレーションが開く次世代メモリー材料の扉

測定装置の前で、モニターに浮かぶ散乱パターンのわずかな違いを研究者たちが追っていた。東北大学の鈴木博人助教らのグループは、これまで直接見ることが難しかった「交替磁性体」の磁区を読み解く新しい観察法を生み出した。省エネルギーな次世代メモリー材料として期待される物質の内部で、情報を担う領域がどのように分かれているのか。その姿がようやく具体的な数字として示されつつある。