オンセミ、vGaNパワー半導体発表、電力密度・効率・堅牢性で新基準
オンセミは2025年10月30日(米国時間)、GaN-on-GaN技術を用いた縦型GaN(vGaN)パワー半導体を発表した。AIデータセンターやEVなどエネルギー集約型分野の需要増を受け、電力密度・効率・堅牢性で新たな基準を打ち立てるとし、700Vと1200Vのデバイスをアーリーアクセス顧客へ提供中だ。また、電流を表面ではなく垂直方向に流す設計により、高電圧動作と高速スイッチングを両立し、システム…
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オンセミは2025年10月30日(米国時間)、GaN-on-GaN技術を用いた縦型GaN(vGaN)パワー半導体を発表した。AIデータセンターやEVなどエネルギー集約型分野の需要増を受け、電力密度・効率・堅牢性で新たな基準を打ち立てるとし、700Vと1200Vのデバイスをアーリーアクセス顧客へ提供中だ。また、電流を表面ではなく垂直方向に流す設計により、高電圧動作と高速スイッチングを両立し、システム…