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先端半導体パッケージの製造で注目される「マスクレス露光」の光源を巡り、紫外半導体レーザーの高出力化が一段進んだ。ヌヴォトン テクノロジージャパンは2026年1月16日、波長379nmで1.0Wを出す新製品「KLC330FL01WW」を開発し、量産開始を発表した。
1.0Wの紫外レーザー 短波長と放熱を同時に詰めた
PR TIMESで公開した同社リリースによると、新製品は直径9.0mmのTO-9 CANパッケージで連続発振（CW）1.0Wを実現し、同社は同条件の同波長帯で「業界最高クラス」と位置付ける。先端パッケージ向けの露光は微細化と処理速度が同時に求められ、光源の性能が装置側のボトルネックになりやすい。
紫外半導体レーザーは一般に、光電力変換効率（WPE）が低く自己発熱が大きい上、短波長光による素子劣化も起きやすいとされる。そこで同リリースは、光の吸収損失や動作電圧の上昇を抑える独自のデバイス構造と、熱抵抗を下げる高放熱パッケージ技術の両面から設計を詰めた点を核に据える。
丸文の製品情報によれば、対象品番はKLC330FL01WWで、波長は379nm、光出力は1.0W、パッケージはTO-9 CANである。量産開始は2026年3月を予定し、用途としてマスクレス露光のほか樹脂硬化、マーキング、3Dプリンティング、水銀灯代替なども挙げる。
微細化限界の先で伸びる後工程 露光の「段取り」を変える狙い
オプトロニクスオンラインは、トランジスタ微細化が物理・経済の両面で限界に近づく中、3Dパッケージやチップレットなど後工程の高度化が性能向上の軸になりつつあると整理する。マスクレス露光（レーザーダイレクトイメージング、LDI）は、フォトマスクを介さず設計データから直接描画するため、マスク製作の時間とコストを減らし、試作や設計変更の回転を上げやすい。
光源のレーザー化が進めば、水銀灯（i線など）に依存してきた露光の置き換えが現実味を帯びる。実装の主戦場が「前工程の微細化」から「後工程の集積」へ移るほど、配線形成のスループットと歩留まりを左右する光源の安定供給が競争力の一部となる。
今回のように、短波長・高出力の紫外半導体レーザーが量産段階に入れば、マスクレス露光は試作向け技術から、後工程の実装競争を支える基盤技術へと位置付けを変える可能性がある。装置・材料側を含めたサプライチェーンの再編は、その延長線上で現実的なテーマになりつつある。
