キオクシア、次世代ストレージUFS 5.0を公開 スマホAIの速度向上に寄与
スマートフォンでAI機能が処理負荷を高める中、内蔵ストレージの転送速度が新たなボトルネック化。キオクシアは2月24日、次世代規格UFS 5.0対応の組み込みフラッシュメモリ評価用サンプル提供を開始し、ストレージ高速化の本格的な移行が始まった。
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キオクシア、3D DRAM実用化へ前進 8層積層技術を発表
キオクシアは高密度で低消費電力の3D DRAM実現に向け、InGaZnO酸化物半導体を用いた高積層可能なチャネルトランジスタを開発。IEDM 2025で8層構造の動作確認を公開し、AIサーバーのメモリ待機電力削減の基盤技術に期待が一層高まる。
