先端半導体製造技術

日本IBMが脳型2nm半導体開発へ　低遅延と超低消費電力AI実現

日本IBMは2026年4月13日、研究開発プロジェクト「脳に着想を得た2nm半導体次世代AIアクセラレータの研究開発」が、NEDOの「ポスト5G情報通信システム基盤強化研究開発事業/先端半導体製造技術の開発（助成）」に採択されたと発表した。2ナノメートル世代の半導体と脳に着想を得た設計手法を組み合わせ、低遅延と超低消費電力を両立する次世代AIアクセラレータの実現を目指す。