次世代メモリー

第3の磁性体に光　軟X線とシミュレーションが開く次世代メモリー材料の扉

測定装置でモニターに浮かぶ散乱パターンのわずかな違いを解析し、東北大学・鈴木博人助教らが、これまで観察困難だった交替磁性体の磁区を可視化・定量化する新観察法を開発。省エネルギー次世代メモリー候補の内部情報領域の分離と数値評価を可能にした成果。