レーザー光パルスで記録反転、次世代磁気メモリ材料をQSTなどが開発に成功
量子科学技術研究開発機構(QST)などの共同研究グループは、レーザー光パルスだけで磁気メモリの記録を書き換えられる実用的材料を世界で初めて開発した。CoFeB系の人工フェリ磁性体を用いた成果で、次世代メモリの高速化と省エネルギー化につながる可能性がある。
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量子科学技術研究開発機構(QST)などの共同研究グループは、レーザー光パルスだけで磁気メモリの記録を書き換えられる実用的材料を世界で初めて開発した。CoFeB系の人工フェリ磁性体を用いた成果で、次世代メモリの高速化と省エネルギー化につながる可能性がある。
電子機器の小型化が進むほど、発熱と部品のゆがみは避けにくくなる。2025年11月、東京科学大学らの研究グループが、温めると縮むうえに磁石とコンデンサの性質を同時に示す新しい鉄酸ビスマス系材料を報告した。強磁性と強誘電性、そして室温での負の熱膨張を兼ね備え、低消費電力の磁気メモリや熱に強い部品設計の切り札になり得ると期待されている。