キオクシア、3D DRAM実用化へ前進 8層積層技術を発表
キオクシアは高密度で低消費電力の3D DRAM実現に向け、InGaZnO酸化物半導体を用いた高積層可能なチャネルトランジスタを開発。IEDM 2025で8層構造の動作確認を公開し、AIサーバーのメモリ待機電力削減の基盤技術に期待が一層高まる。
3D DRAM
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ニュースはAIで深化する—。
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キオクシアは高密度で低消費電力の3D DRAM実現に向け、InGaZnO酸化物半導体を用いた高積層可能なチャネルトランジスタを開発。IEDM 2025で8層構造の動作確認を公開し、AIサーバーのメモリ待機電力削減の基盤技術に期待が一層高まる。
