SiC

レゾナック、世界最大級300mm SiC単結晶基板を開発　大口径化・高品質化へ前進

レゾナックは2026年9月15日、炭化ケイ素（SiC）で直径300mm（12インチ）の単結晶を成長させ、基板に加工することに成功したと発表した。SiC基板とSiCエピウェハーの大口径化、高品質化に向けた技術的な到達点としている。