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レゾナックは2026年9月15日、炭化ケイ素（SiC）で直径300mm（12インチ）の単結晶を成長させ、基板に加工することに成功したと発表した。SiC基板とSiCエピウェハーの大口径化、高品質化に向けた技術的な到達点としている。
200mm基板の2.25倍の面積に
300mmは、現在開発が進むSiC基板として「世界最大級」としている。これは2026年8月時点の公表情報などに基づく同社調べで、世界初とする発表ではない。米Wolfspeedも2026年1月に300mmの単結晶SiCウエハーを公表している。
レゾナックは現在、市場の主流である150mm（6インチ）のSiCエピウェハーを主に供給し、200mm（8インチ）品も出荷している。円形基板の幾何学上の面積では、300mm品は200mm品の2.25倍となる。ただし、実際のチップ取得数や生産性が単純に2.25倍になることを示すものではない。
今回の成果には、同社のSiC単結晶成長・基板加工技術と、NEDOのグリーンイノベーション基金事業の一部成果を活用した。300mm品の量産開始時期や供給開始時期は公表していない。
省エネ用途に加え、放熱基板への応用も
SiCは、従来のシリコンウエハーを用いるパワー半導体に比べ、電力変換時の損失や発熱を抑えられる材料として利用が広がっている。EVや再生可能エネルギー、データセンター向け電源などが主な用途だ。
単結晶SiCは熱伝導率が高く、AIサーバーやHPC向け半導体の放熱基板、先端パッケージ基板への応用も期待されている。同社は今後もSiC単結晶基板とエピウェハーの大口径化、高品質化に向けた技術開発を進める。
