オンセミ、vGaNパワー半導体発表、電力密度・効率・堅牢性で新基準
オンセミがGaN-on-GaNの縦型GaNパワー半導体を発表。AIデータセンターやEV向けに700V/1200Vを提供し、高電力密度・高効率と高速スイッチングで小型化を実現。垂直電流設計で高電圧動作と高速スイッチングを両立し、堅牢性も向上。アーリーアクセス顧客へ提供開始。
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オンセミがGaN-on-GaNの縦型GaNパワー半導体を発表。AIデータセンターやEV向けに700V/1200Vを提供し、高電力密度・高効率と高速スイッチングで小型化を実現。垂直電流設計で高電圧動作と高速スイッチングを両立し、堅牢性も向上。アーリーアクセス顧客へ提供開始。