酸化物半導体

サムスンがNAND電力96％削減へ　新トランジスタ構造をNatureに発表

サムスンSAITが強誘電体と酸化物半導体を組み合わせた新トランジスタ構造を開発、NANDフラッシュの動作電力を従来比最大96％削減。電圧を大幅に下げつつ高い記録密度を維持するとして、英科学誌Natureで発表。AIデータセンターやスマートフォンの省電力化に道を開く成果だ。