高周波トランジスタ

NTT、AlN系半導体で世界初実証　ポスト5G高周波増幅に道

NTTは2025年12月、高アルミ組成の窒化アルミニウム(AlN)系半導体を用いた高周波トランジスタで世界初の無線信号増幅を実証。従来は高い抵抗が障害だった領域で低抵抗構造を実現し、ミリ波を使うポスト5Gの基地局や通信機器のエリア拡大・高速化に道を開く成果だ。