レゾナック、世界最大級300mm SiC単結晶基板を開発 大口径化・高品質化へ前進
レゾナックは2026年9月15日、炭化ケイ素(SiC)で直径300mm(12インチ)の単結晶を成長させ、基板に加工することに成功したと発表した。SiC基板とSiCエピウェハーの大口径化、高品質化に向けた技術的な到達点としている。
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レゾナックは2026年9月15日、炭化ケイ素(SiC)で直径300mm(12インチ)の単結晶を成長させ、基板に加工することに成功したと発表した。SiC基板とSiCエピウェハーの大口径化、高品質化に向けた技術的な到達点としている。
レゾナックは2026年6月25日、BEAM Technologies、日本低軌道社中などと、地球低軌道(LEO)での半導体製造事業の実現に向けた覚書(MOU)を締結したと発表した。主軸は、微小重力を活用した化合物半導体の次世代製造プラットフォームの共同構築で、2030年以降に商業宇宙ステーションへ接続される日本モジュールでの製造実現を目指す。