SiCウエハー300ミリ製造成功　米ウルフスピード、普及の壁打破か

※記事を視覚化したイメージであり、実際の事象とは異なります。

2026.02.08

本サイトの記事や画像は、AIが公的資料や複数の報道を基に事実関係を整理・再構成し制作したものです。[続きを表示]特定の報道内容や表現を再利用・要約することを目的としたものではありません。ただし、誤りや不確定な情報が含まれる可能性がありますので、参考の一助としてご覧いただき、実際の判断は公的資料や各出典元の原文をご確認ください。[私たちの取り組み]

炭化ケイ素（SiC）ウエハーの「12インチ化」が現実味を帯びてきた。米ウルフスピードは、直径300ミリメートルの単結晶SiCウエハーの製造に成功したと発表した。SiCは高効率な電力変換で強みを持つ一方、コストが普及の壁でもある。発表は米国時間13日（日本時間14日）だ。

12インチSiCウエハー試作　200mm世代超え

ウルフスピードによると、300mm（12インチ）の単結晶SiCウエハーを作製した。CTOのエリフ・バルカス氏は、結晶成長やブール、ウエハー加工での長年の開発の積み重ねが今回の到達点につながったと説明し、将来の量産化に向けた道筋を示した。

現在のSiCウエハーは150mm（6インチ）や200mm（8インチ）が主流で、口径が大きくなるほど同じ工程で取れるチップ数が増える。面積で見ると、300mmは200mmの約2.25倍に広がる計算で、装置稼働や材料の固定費をより多くのチップに割れるため、コスト低減に直結しやすい。

AI電源・AR/VR照準　材料プラットフォーム

展開先として同社が挙げたのは、AIインフラ、AR/VR、先進パワーデバイスだ。データセンターでは電力密度と放熱の制約が強まり、電源周りの効率改善が急務になる。SiCの大口径化で、電力供給や熱対策、配線の統合をウエハースケールで進める狙いもにじむ。

EE TIMEs Japanは、同社が経営悪化を背景に昨年6月に米連邦破産法11条の適用を申請し、同年10月に再建手続きを終えた後の技術面の打ち出しだと伝えた。昨年9月には200mm材料の商用展開も発表しており、200mmで顧客認定を進めつつ、次の世代として300mmを見据える構図が鮮明になっている。

SiCの300mm化は、単なる「大きいウエハー」の話ではない。結晶品質、歩留まり、装置の適用範囲、供給の安定までを一体でそろえる競争である。電動化とAIの電力需要が同時に膨らむ中、材料から工程までの標準を主導できるかどうかが、次の産業地図を決める焦点となる。