東芝が次世代駆動技術を開発 SiCパワーデバイスの損失低減
電気自動車やデータセンターの電源で、電力変換のムダをどこまで減らせるかが装置の小型化を左右している。東芝は2月17日、炭化ケイ素（SiC）パワーデバイスの駆動回路を改良し、スイッチング時の損失や駆動側の消費電力を抑える次世代ゲートドライバー技術を開発したと明らかにした。
炭化ケイ素
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SiCウエハー300ミリ製造成功 米ウルフスピード、普及の壁打破か
炭化ケイ素（SiC）ウエハーの「12インチ化」が現実味を帯びてきた。米ウルフスピードは、直径300ミリメートルの単結晶SiCウエハーの製造に成功したと発表した。SiCは高効率な電力変換で強みを持つ一方、コストが普及の壁でもある。発表は米国時間13日（日本時間14日）だ。
