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米Keplerは、HBMとSRAMの代替を目指すAI向け新型メモリについて、2026年中にサンプルを提供し、2027年に生産を開始する計画だ。同社は2027年分の生産能力がすべて割り当て済みと説明し、2028～2030年の供給枠についても調整を進めている。
メモリと演算回路を近づけ、データ移動の課題に対応
米EE Timesが2026年10月5日（現地時間）に掲載した取材記事で、KeplerのCEOであるDebo Olaosebikanは、HBM代替用とSRAM代替用に相当する2種類のメモリを開発したと説明した。顧客にはメモリモジュールとして販売し、顧客が自社のチップに組み込む形を想定している。
Keplerは、3D集積によってメモリと演算回路を近づけ、接続数を増やすことで、データ移動に伴う電力消費と帯域幅の制約に対処する構想を掲げる。同社はEE Timesに対し、SRAM比で少なくとも10倍の容量、HBM比で5～10倍の電力当たり帯域幅を見込むと説明した。これらは比較対象と評価指標が異なる企業側の性能予測であり、独立した評価結果は確認されていない。
製造にはCMOS互換の新材料と強誘電体技術を利用し、トランジスタ上にデバイスを積層する。既存工場に追加工程を組み合わせ、実効的な密度を高める際のEUV露光への依存度を抑える構想だ。ただし、下層のトランジスタ製造でEUVを使用する可能性は排除していない。強誘電体材料の詳しい仕様は公表していない。
製造移行と米国内での供給拡大を計画
Keplerは公式サイトで、専用の300mm製造工場を保有していると説明している。EE Timesによると、同社は2018年創業で、生産に向けてGlobalFoundriesと提携している。Kepler公式サイトには、GlobalFoundriesとIntel Capitalが出資者として掲載されている。
Intel CapitalのSrini AnanthはEE Timesの取材に対し、Keplerが業界パートナーと大規模製造への移行に取り組める段階に達したとの評価を示した。一方、KeplerはGlobalFoundries以外の顧客や提携先の名称を明らかにしていない。
同社は2027年に生産を開始した後、2028年から米国内で製造規模を拡大する方針だ。実際の生産数量や量産時の歩留まりは公表されておらず、今後の製造・供給体制の立ち上げが計画されている。
