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先端半導体の量産を支える極端紫外線(EUV)露光で、処理速度のボトルネックになりやすい「光」を強める動きが前に進んだ。ロイターによると、オランダのASMLは23日(日本時間24日)、EUV光源の出力を引き上げる新技術を開発し、今後の生産性を大きく押し上げる見通しを示した。
EUV光源高出力化 量産性引き上げ
報道では、ASMLが狙うのはEUV露光装置の光源を千ワット級に高め、露光のスループットを底上げすることだ。EUVは先端ロジックの微細加工に欠かせず、主要な半導体メーカーが量産ラインで用いている。
EUV露光では、光源が強いほどウエハーに必要な露光量を満たす時間が短くなる。装置が同じ時間で処理できる枚数が増えれば、最先端品のコスト構造にも跳ね返る。高出力化は「装置を増やす」以外の手段で供給力を広げる発想でもある。
一方で、出力を上げれば熱や汚れの管理が難しくなる。光学系の状態を保ったまま、工場の実運用に近い条件で安定して動かせるかが、量産技術としての価値を分ける。
次の到達点視野 競争と導入課題
ロイターによると、ASMLのEUV光源主任技術者マイケル・パービス氏は、顧客環境と同等の条件で高出力を供給できると述べ、短時間の実演にとどまらない点を強調した。さらに上の出力水準も視野に入るという。
露光技術は解像度を高める高NA(開口数)化も並走する。ASMLはimecと共同で高NA EUVの開発・実証拠点を設け、量産導入をにらんだ準備を進めてきた。加えてトムズ・ハードウェアは、Intelが商用の高NA EUV装置を導入したと伝えており、装置側の世代交代も現実味を増している。
先端半導体の供給力は、需要が膨らむほど「何をどれだけ作れるか」より「限られた装置時間をどう稼ぐか」が効いてくる。光源の高出力化は、その稼働時間を価値に変える手段だが、電力や保守、材料まで含めた運用全体の最適化を同時に迫る。各社の投資判断は、技術の到達度だけでなく、工場の制約をどこまで吸収できるかで分かれていく。
参考・出典
- ASML、半導体製造装置の光源出力向上 半導体生産50%増も(ロイター) – Yahoo!ファイナンス
- ASML and imec open joint High NA EUV Lithography Lab offering an early development platform to the leading-edge semiconductor ecosystem
- Intel installs industry's first commercial High-NA EUV lithography tool — ASML Twinscan EXE:5200B sets the stage for 14A | Tom's Hardware
- ITF World 2023(5) 2030年代にはNA=0.75の超高NA EUV露光装置が必要に、ASMLが必要性を強調 | TECH+(テックプラス)
