大日本印刷、NIL向け10nmテンプレート開発 EUV代替を視野
大日本印刷(DNP)は2025年12月9日、ナノインプリントリソグラフィー(NIL)向けに回路線幅10nmのテンプレートを開発したと発表した。1.4nm世代相当のロジック半導体にも対応できるとし、極端紫外線(EUV)などの露光工程に比べ電力消費を約1/10に抑えるという。狙いは、先端半導体の「コストと電力」という二重の重さに、別の逃げ道を用意することだ。
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大日本印刷(DNP)は2025年12月9日、ナノインプリントリソグラフィー(NIL)向けに回路線幅10nmのテンプレートを開発したと発表した。1.4nm世代相当のロジック半導体にも対応できるとし、極端紫外線(EUV)などの露光工程に比べ電力消費を約1/10に抑えるという。狙いは、先端半導体の「コストと電力」という二重の重さに、別の逃げ道を用意することだ。