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AI向け半導体の需要が膨らむなか、最先端の微細化を左右する露光装置が「研究」から「工場」へ移り始める。米カリフォルニア州サンノゼで26日（日本時間27日）、ASMLは次世代の高開口数（High-NA）EUV露光装置について、半導体メーカーが量産向けに使い始めるための条件がそろいつつあるとの見方を示した。
高NA EUV量産投入 稼働率80%と50万枚処理
ロイターによると、ASML幹部は、顧客側での試験と学習が進み、量産での立ち上げに必要な知見が蓄積されたと説明した。装置の稼働率は足元でおよそ80%に達し、年内に90%を目標にするという。
さらに、これまでに装置で処理したウエハーは約50万枚に上るとし、こうした運転データが不具合の洗い出しと改善を後押ししてきたと位置付けた。装置が技術的に整っていても、各社の製造ラインに組み込むには、工程全体の検証に2〜3年かかるとの見通しも示された。
High-NA EUVは、現在の主流EUVよりも光学系の開口数を高め、同じ設計ルールでも工程を減らせる余地があるとされる。AI向けで性能と電力効率の両立が求められるほど、工程短縮の価値は増しやすい。
顧客側の適用判断 Intel検証と26年不確実性
Tom’s Hardwareの記事では、Intelが商用のHigh-NA EUV装置を工場に設置し、受け入れ試験を通過したと伝えている。数値開口0.55の光学系を採用し、解像度や重ね合わせ精度の改善で、量産工程に近い条件での評価が進む段階に入ったという。
一方で、装置投資は景気や地政学リスクの影響を受けやすい。EE Times Japanは、ASMLがAI関連の顧客基盤の強さに言及する一方、26年を見据えた不確実性の高まりにも触れていると報じた。TrendForceも、High-NA世代の出荷が進みつつある点を取り上げている。
High-NA EUVの普及速度を決めるのは、装置単体の完成度だけではない。マスクやレジスト、検査計測、歩留まり管理までを同時に詰められる企業ほど、投資回収の筋道を描きやすい。逆に需要の波が読みにくい局面では、導入時期の差が先端品の供給力として表れ、半導体の供給網に段差を残すことになる。
参考・出典
- Exclusive-ASML says next-gen EUV tools ready to mass-produce chips, marking key shift for AI chip production (Reuters via Investing.com)
- Intel installs industry’s first commercial High-NA EUV lithography tool — ASML Twinscan EXE:5200B sets the stage for 14A | Tom’s Hardware
- 「不確実性が高まる」ASML、高NA EUVの導入好調も26年は慎重：粗利益率は予想比上振れ – EE Times Japan
- [News] ASML Confirms First High-NA EUV EXE:5200 Shipment, Reportedly Prepping for Intel’s 14A in 2027
