ファーウェイ、1.4nm相当の半導体開発へ 設計とアーキテクチャーで性能引き上げ
中国通信機器大手ファーウェイは25日、上海で開かれたIEEE International Symposium on Circuits and Systems（ISCAS 2026）で、同社が新たな半導体進化原則と位置付ける「Tau（τ）スケーリング則」を公表し、2031年までに14オングストローム（1.4ナノメートル）プロセス相当のトランジスタ密度を持つ高性能半導体を設計する見通しを示した。米国の…
トランジスタ密度
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