東大・慶大・JST、Mn3Sn次世代MRAM薄膜化で高速省電力へ
東京大学、慶應義塾大学、JSTは2026年7月13日、反強磁性体Mn₃Snを使う次世代MRAMの高速・低消費電力化に向け、薄膜化と放熱性の向上が重要だとする素子設計指針を発表した。
反強磁性体
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理化学研究所、反強磁性体の情報を光だけで読み書き 全光学メモリー動作に道筋
理化学研究所は2026年5月20日、創発物性科学研究センターの豊田新悟研究員、小川直毅グループディレクター、十倉好紀グループディレクターらの国際共同研究グループが、光の進行方向だけで反強磁性体のドメイン情報を書き換え、弱い光で読み出すことも示したと発表した。外部の電場や磁場を使わず、光だけで反強磁性ドメインを書き込み、保持し、読み出す全光学的な反強磁性メモリー動作に向けた原理実証となる。
