東大・慶大・JST、Mn3Sn次世代MRAM薄膜化で高速省電力へ
東京大学、慶應義塾大学、JSTは2026年7月13日、反強磁性体Mn₃Snを使う次世代MRAMの高速・低消費電力化に向け、薄膜化と放熱性の向上が重要だとする素子設計指針を発表した。
低消費電力電子デバイス
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ニュースはAIで深化する—。
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