逆方向耐圧

東大・NTTが電気のムダを極限まで減らす「次世代AlN系パワー半導体」を発表

東京大学工学系研究科とNTT株式会社の共同研究チームは5月25日、窒化アルミニウム（AlN）系ショットキーバリアダイオード（SBD）の試作で、比オン抵抗0.34 mΩ・cm²、逆方向耐圧400Vを示したと公表した。東京大学は、このオン抵抗をAlN系電子デバイスとして世界最小としている。AlN系パワー半導体の性能向上と実用化に向けた前進となる成果である。