高周波トランジスタ

NTT、AlN系半導体で世界初実証　ポスト5G高周波増幅に道

NTTは2025年12月、高アルミ組成の窒化アルミニウム(AlN)系半導体を使った高周波トランジスタで、世界初となる無線信号の増幅動作を実証した。高い抵抗が障害となっていた領域で低抵抗構造を実現し、ミリ波帯を用いるポスト5G通信のエリア拡大や高速化に道を開く成果だ。