IEDM 2025

キオクシア、3D DRAM実用化へ前進　8層積層技術を発表

キオクシアは2025年12月12日、高密度かつ低消費電力の3D DRAMを現実の製品に近づける基盤技術として、酸化物半導体InGaZnOを用いた「高積層可能なチャネルトランジスタ」を開発したと発表した。米サンフランシスコで開かれたIEDM 2025で、トランジスタを8層に積んだ構造の動作確認まで示したという。AIサーバーの電力コストが注目される中、メモリ側の“待機電力”をどこまで削れるかが次の焦点…