二硫化モリブデン

東京大学の研究チーム、直径1nm級の単層MoS2半導体ナノチューブ合成に成功

東京大学の中西勇介准教授らの研究チームは、絶縁体の窒化ホウ素ナノチューブ（BNNT）内部で直径約1ナノメートルの単層二硫化モリブデン（MoS2）半導体ナノチューブを合成した。論文は2026年6月4日（現地時間）付の米科学誌サイエンスに掲載され、5日に共同発表された。GAA型次世代トランジスタの極細チャネル材料につながる成果として期待される。