AI市場

AI基盤向けメモリーを3D化　サムスンがV10 BV-NANDとzHBM公開

サムスン電子は8月4日（米西部時間）、米カリフォルニア州サンタクララで開かれたFMS 2026で、400層超の「V10 BV-NAND」と次世代3Dメモリー構想「zHBM」「zNAND-O」を公開した。AI基盤向けに高密度化と電力効率の向上を狙う。