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サムスン電子は8月4日（米西部時間）、米カリフォルニア州サンタクララで開かれたFMS 2026で、400層超の「V10 BV-NAND」と次世代3Dメモリー構想「zHBM」「zNAND-O」を公開した。AI基盤向けに高密度化と電力効率の向上を狙う。
V10 BV-NAND、記憶密度を約58%向上
V10 BV-NANDは、ウェハー接合技術を使うBonding V-NAND構造を採用した試作チップだ。サムスン電子によると、前世代のV9と比べて記憶密度を約58%高め、読み出し、書き込み、入出力性能も向上させた。
高容量で電力効率の高いNANDを求めるAI需要に対応する。量産時期や顧客への供給計画は未公表だ。
zHBMとzNAND-Oの構想も公開
zHBMは、AIプロセッサーの隣に置く従来のHBMと異なり、AIアクセラレーターの上に垂直積層する構想だ。データの移動距離を短くし、帯域幅と電力効率を高める。同社は、次世代の接合技術により、HBM5比で10倍超の記憶密度、3倍のエネルギー効率、熱抵抗の半減超を実現できるとしている。
zNAND-OはV-NANDを基盤とする高性能NANDで、4層版と8層版を開発中という。両技術はコンセプトモデルで、実用化時期は明らかにしていない。
