キオクシア、AI向け「KIOXIA NX1シリーズ」開発 初の直接液冷対応SSDをサンプル出荷
キオクシアは2026年7月29日、AIサーバーや大規模データセンター向けのSSD「KIOXIA NX1シリーズ」を開発し、一部のハイパースケール顧客へのサンプル出荷を始めた。キオクシアとして初めて直接液冷に対応するSSDとなる。
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キオクシアHD、約366億円の賠償命令に異議 申し立てや控訴など法的手段で対抗へ
米テキサス州西部地区連邦地裁は7月31日（米国時間）、キオクシアの子会社2社に2億2900万ドル（約366億円）の賠償を命じた。キオクシアHDは8月3日、判決後の申し立てや必要に応じた控訴を含む法的手段を講じる方針を公表した。
米陪審、キオクシアのフラッシュメモリー特許侵害を認定 米テキサスで賠償額約371億円
キオクシアホールディングスは7月17日、米テキサス州西部地区連邦地裁の陪審が16日（現地時間）、Viasatの特許を侵害したとして、子会社2社に約2億2900万ドルの損害賠償額を認定する評決を出したと発表した。
キオクシアとサンディスク、第10世代3Dフラッシュ生産開始 高速化と低消費電力を訴求
キオクシアと米サンディスクは7月3日、岩手県北上市の北上工場第2製造棟（K2棟）で、第10世代の3次元フラッシュメモリ製品の生産を始めた。キオクシアは同日、第10世代「BiCS FLASH™」技術を使った1テラビットTLC製品のサンプル出荷も開始した。AIの普及でデータセンター向けストレージ需要が膨らむなか、大容量・高性能品の供給体制を強化する。
キオクシア、次世代ストレージUFS 5.0を公開 スマホAIの速度向上に寄与
スマートフォンの処理能力がAI機能で底上げされる一方、足元では「内蔵ストレージの転送速度」が次のボトルネックになりつつある。キオクシアは2月24日、次世代の組み込み式フラッシュストレージ規格「UFS 5.0」に対応した評価用フラッシュメモリのサンプル提供を始めたと明らかにした。
キオクシア、3D DRAM実用化へ前進 8層積層技術を発表
キオクシアは2025年12月12日、高密度かつ低消費電力の3D DRAMを現実の製品に近づける基盤技術として、酸化物半導体InGaZnOを用いた「高積層可能なチャネルトランジスタ」を開発したと発表した。米サンフランシスコで開かれたIEDM 2025で、トランジスタを8層に積んだ構造の動作確認まで示したという。AIサーバーの電力コストが注目される中、メモリ側の“待機電力”をどこまで削れるかが次の焦点…
