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キオクシアと米サンディスクは7月3日、岩手県北上市の北上工場第2製造棟（K2棟）で、第10世代の3次元フラッシュメモリ製品の生産を始めた。キオクシアは同日、第10世代「BiCS FLASH™」技術を使った1テラビットTLC製品のサンプル出荷も開始した。AIの普及でデータセンター向けストレージ需要が膨らむなか、大容量・高性能品の供給体制を強化する。
332層化で高密度・高速化
第10世代BiCS FLASH™は、記憶素子を縦方向に積み重ねる3次元構造を332層まで高めた。平面方向の高密度化も組み合わせ、ビット密度は従来世代から59%向上した。限られたチップ面積により多くのデータを保存できるようにする技術で、SSDの大容量化に直結する。
NANDインターフェース速度は毎秒4.8ギガビットで、第8世代に比べ33%速い。電力効率も改善し、書き込み時で18%、読み出し時で30%向上した。データセンターでは処理速度だけでなく消費電力の抑制も重要で、AI用途で増える大量データの保存・読み書きに対応しやすくなる。
サンプル出荷を始めた1Tb TLC製品は、主にエンタープライズ・データセンター向けSSDへの搭載を想定する。TLCは1つの記憶セルに3ビットの情報を保存する方式で、容量とコストのバランスを取りやすい。キオクシアは、AI向けストレージ需要に対応する製品ラインアップの強化につなげる。
第8世代品から広がるK2棟の役割
K2棟は2025年9月30日に稼働を開始し、これまで第8世代の218層3次元フラッシュメモリ製品を生産してきた。3日の披露セレモニーでは、第8世代品に加え、第10世代品の生産開始とサンプル出荷開始が示され、北上工場の先端品生産拠点としての役割が広がった。
キオクシアは開発戦略として、第9世代では投資効率を重視し、第10世代では積層数を増やして大容量化と高性能化を進める方針を示している。今回の第10世代品は、そのうち高性能・大容量を担う製品群にあたる。
サンプル出荷を開始した製品は、顧客による製品評価を目的とするもので、量産品とは仕様が異なる場合がある。公式発表では、量産出荷の具体的な時期や初期採用顧客名、K2棟内での第8世代品と第10世代品の生産配分は明らかにされていない。
参考・出典
- 高性能、大容量、低消費電力を実現した第10世代BiCS FLASH™のサンプル出荷を開始 | KIOXIA – Japan (日本語)
- Kioxia and Sandisk Begin Production of 10th-Generation 3D Flash Memory Products at Kitakami Plant Fab2 | KIOXIA – Asia Pacific (English)
- AI需要に対応する北上工場第2製造棟の稼働開始について | KIOXIA – Japan (日本語)
- キオクシア、第10世代「BiCS FLASH」を北上で生産開始 AI需要に照準：第2製造棟で生産拡大へ – EE Times Japan
- キオクシア、新型メモリのサンプル出荷開始 岩手の工場の最先端設備活用 – ITmedia NEWS
