東大・NTTが電気のムダを極限まで減らす「次世代AlN系パワー半導体」を発表
東京大学工学系研究科とNTT株式会社の共同研究チームは5月25日、窒化アルミニウム（AlN）系ショットキーバリアダイオード（SBD）の試作で、比オン抵抗0.34 mΩ・cm²、逆方向耐圧400Vを示したと公表した。東京大学は、このオン抵抗をAlN系電子デバイスとして世界最小としている。AlN系パワー半導体の性能向上と実用化に向けた前進となる成果である。
窒化アルミニウム
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NTT、AlN系半導体で世界初実証 ポスト5G高周波増幅に道
NTTは2025年12月、高アルミ組成の窒化アルミニウム(AlN)系半導体を使った高周波トランジスタで、世界初となる無線信号の増幅動作を実証した。高い抵抗が障害となっていた領域で低抵抗構造を実現し、ミリ波帯を用いるポスト5G通信のエリア拡大や高速化に道を開く成果だ。
