東大・NTTが電気のムダを極限まで減らす「次世代AlN系パワー半導体」を発表
東京大学工学系研究科とNTT基礎研究所の共同研究チームが、窒化アルミニウム（AlN）系ショットキーバリアダイオードを試作し、比オン抵抗0.34mΩ・cm²、逆方向耐圧400Vを達成。AlN系パワー半導体実用化へ前進した。
窒化アルミニウム
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NTT、AlN系半導体で世界初実証 ポスト5G高周波増幅に道
NTTは2025年12月、高アルミ組成の窒化アルミニウム(AlN)系半導体を用いた高周波トランジスタで世界初の無線信号増幅を実証。従来は高い抵抗が障害だった領域で低抵抗構造を実現し、ミリ波を使うポスト5Gの基地局や通信機器のエリア拡大・高速化に道を開く成果だ。
