酸化物半導体

サムスンがNAND電力96％削減へ　新トランジスタ構造をNatureに発表

サムスン電子の研究機関Samsung Advanced Institute of Technology（SAIT）は、NANDフラッシュメモリーの動作時電力を従来比最大96％削減できる新しいトランジスタ構造を開発し、その成果を11月26日付で英科学誌「Nature」オンライン版に発表した。強誘電体と酸化物半導体を組み合わせた素子で、高い記録密度を維持したまま電圧を大きく下げられる点が特徴だ。AIデ…