産総研、MRAM向け電圧書き込み新技術開発 広いパルス幅で安定動作
産業技術総合研究所は4月3日、電圧駆動型MRAM向けに、広い電圧パルス幅でも安定して磁気情報を書き込める新技術「電圧誘起スタティック磁化反転法」を開発し、動作を実験で観測したと発表した。書き込み条件の厳しさが課題だった電圧書き込み方式の弱点を和らげる成果で、産総研は同日付で詳細がNature Materialsに掲載されると案内している。
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産業技術総合研究所は4月3日、電圧駆動型MRAM向けに、広い電圧パルス幅でも安定して磁気情報を書き込める新技術「電圧誘起スタティック磁化反転法」を開発し、動作を実験で観測したと発表した。書き込み条件の厳しさが課題だった電圧書き込み方式の弱点を和らげる成果で、産総研は同日付で詳細がNature Materialsに掲載されると案内している。