レーザー光パルスで記録反転、次世代磁気メモリ材料をQSTなどが開発に成功
量子科学技術研究開発機構(QST)などの共同研究グループは、レーザー光パルスだけで磁気メモリの記録を書き換えられる実用的材料を世界で初めて開発した。CoFeB系の人工フェリ磁性体を用いた成果で、次世代メモリの高速化と省エネルギー化につながる可能性がある。
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量子科学技術研究開発機構(QST)などの共同研究グループは、レーザー光パルスだけで磁気メモリの記録を書き換えられる実用的材料を世界で初めて開発した。CoFeB系の人工フェリ磁性体を用いた成果で、次世代メモリの高速化と省エネルギー化につながる可能性がある。