東京大学の研究チーム、直径1nm級の単層MoS2半導体ナノチューブ合成に成功
東大の中西勇介准教授らが、窒化ホウ素ナノチューブ内部で直径約1ナノメートルの単層MoS2半導体ナノチューブを合成。GAA型次世代トランジスタ向け極細チャネル材料として期待される。
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東大の中西勇介准教授らが、窒化ホウ素ナノチューブ内部で直径約1ナノメートルの単層MoS2半導体ナノチューブを合成。GAA型次世代トランジスタ向け極細チャネル材料として期待される。