東大・慶大・JST、Mn3Sn次世代MRAM薄膜化で高速省電力へ
東京大学、慶應義塾大学、JSTは2026年7月13日、反強磁性体Mn₃Snを使う次世代MRAMの高速・低消費電力化に向け、薄膜化と放熱性の向上が重要だとする素子設計指針を発表した。
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産総研、MRAM向け電圧書き込み新技術開発 広いパルス幅で安定動作
産業技術総合研究所は4月3日、電圧駆動型MRAM向けに、広い電圧パルス幅でも安定して磁気情報を書き込める新技術「電圧誘起スタティック磁化反転法」を開発し、動作を実験で観測したと発表した。書き込み条件の厳しさが課題だった電圧書き込み方式の弱点を和らげる成果で、産総研は同日付で詳細がNature Materialsに掲載されると案内している。
