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中国国務院は2026年7月23日（現地時間）、半導体チップ内部の素子や配線の配置を示す「ICレイアウト設計」を保護する改正条例を公布した。登録要件や侵害時の賠償制度を強化し、2026年10月15日に施行する。
独創性声明を新設、虚偽申請を規制
ICレイアウト設計は、半導体チップの内部でトランジスタなどの素子や配線をどこに配置するかを定めた設計情報だ。チップの性能や消費電力、製造効率を左右する重要な技術で、中国では特許とは別の知的財産として保護されている。
改正条例は、登録申請が実際の創作活動に基づくことを求め、虚偽申請を禁止する。申請者には独創性声明の提出を義務付け、複製物や図面で独創性のある部分を明確に示すよう求める。
要件に明らかに適合しない申請は拒絶できる。登録後も、条例に適合しないことが判明した場合は、第三者が登録の取消しを請求できる制度を整備した。
改正条例は、光子や量子などの機能を持つ集積回路のレイアウト設計も保護対象に含めた。
重大侵害に懲罰的損害賠償
侵害時の賠償額は、権利者の実際の損失または侵害者が得た利益を基準に算定する。いずれも算定が難しい場合は、ライセンス料の倍数を参考にし、侵害が重大な場合は懲罰的損害賠償を適用する。
このほか、専有権の譲渡、ライセンス、担保設定に関する規定を整備し、組織が主導して設計を創作した場合に、条件を満たす関係者へ合理的な報奨と報酬を与えることも定めた。
2001年以来初の全面改正
現行条例は2001年10月1日に施行された。今回の改正は、施行から25年で初の全面改正となる。李強首相が7月23日に国務院令第842号へ署名した。
国家知識産権局は、改正条例の施行に向け、関連する部門規則や規範文書の見直しを進めるとしている。
