AI基盤向けメモリーを3D化 サムスンがV10 BV-NANDとzHBM公開
サムスン電子は8月4日(米西部時間)、米カリフォルニア州サンタクララで開かれたFMS 2026で、400層超の「V10 BV-NAND」と次世代3Dメモリー構想「zHBM」「zNAND-O」を公開した。AI基盤向けに高密度化と電力効率の向上を狙う。
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サムスン電子は8月4日(米西部時間)、米カリフォルニア州サンタクララで開かれたFMS 2026で、400層超の「V10 BV-NAND」と次世代3Dメモリー構想「zHBM」「zNAND-O」を公開した。AI基盤向けに高密度化と電力効率の向上を狙う。
レゾナックは2026年6月25日、BEAM Technologies、日本低軌道社中などと、地球低軌道(LEO)での半導体製造事業の実現に向けた覚書(MOU)を締結したと発表した。主軸は、微小重力を活用した化合物半導体の次世代製造プラットフォームの共同構築で、2030年以降に商業宇宙ステーションへ接続される日本モジュールでの製造実現を目指す。
ラピダスは6月15日、英国半導体センター(UK Semiconductor Centre、UKSC)と、将来の半導体製造を見据えた基本合意書(MOU)を英国時間14日に締結したと発表した。両者は先端半導体分野で情報共有や意見交換を進め、日英の技術協力を産業実務の連携につなげる。
米ブルームバーグが5月4日に報じたところによると、Appleは自社製端末に使う主要プロセッサーの製造を巡り、インテルとサムスンに予備的に接触した。協議は初期段階で、正式な発注やTSMCからの製造切り替えが決まったわけではない。ただ、長年の中核パートナーであるTSMC以外に、中核部品の製造先を広げる選択肢を探っていることが表面化した点で意味がある。
生成AIの学習や推論で電力と速度の壁が意識されるなか、AI向け「次世代メモリー」をめぐる日米台連合が動き出した。台湾の受託製造大手・力晶積成電子製造(PSMC、力積電)が開発計画に加わり、量産を見据えた試作や製造面を担う構図である。23日までに世界新聞網が報じた。
AI向け半導体の囲い込み競争が、中国の巨大プラットフォーム企業にも及んできた。2月11日、TikTokを擁するバイトダンス(バイトダンス)がAI向けチップを自社開発し、製造に向けて韓国サムスンと協議していると、複数の関係者の話としてInvesting.comや米Yahoo Financeなどが報じた。
DRAM大手Micronが、台湾ファウンドリーPSMCの300mm工場を18億ドルで取得する方向で動いた。米国時間2026年1月17日(日本時間18日)に独占交渉の意向表明書(LOI)を結び、2027年後半からDRAMウエハー生産の大幅増につなげる構えだ。
米半導体大手NVIDIAが、Intelの先端製造技術「18A」を使った半導体の生産を検討し、最近テストを行ったものの、採用をいったん見送った。複数の関係者が明らかにした。Intel側は18Aの開発は順調に進んでいるとの立場を示している。供給先の分散が語られやすい時代に、実際の選択はどこで止まるのかが問われている。
ノリタケは2025年12月11日、ガラスに開けた貫通穴で層間をつなぐTGV向けに、配線形成用の銀ペーストを開発したと発表した。銅めっきに頼ってきた工程の「時間」と「割れ」の壁を、材料側から崩しにいく。
キオクシアホールディングスは、NAND型フラッシュメモリー製造に用いる新材料の探索に生成AIを導入した。積層数の増加で金属やガスの候補が膨大に広がる中、AIにより有望な組み合わせを素早く絞り込む狙いだ。半導体開発の現場で、材料選びをどこまでAIに任せられるのかが新たな焦点になっている。