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ラピダスは6月15日、英国半導体センター(UK Semiconductor Centre、UKSC)と、将来の半導体製造を見据えた基本合意書(MOU)を英国時間14日に締結したと発表した。両者は先端半導体分野で情報共有や意見交換を進め、日英の技術協力を産業実務の連携につなげる。
政府間協力を産業実務へ
今回の合意は、日英両政府が2023年5月に共同声明で打ち出した半導体パートナーシップを土台に、企業・産業支援機関レベルの協力へ具体化する動きだ。英国の科学・イノベーション・技術省(DSIT)と日本の経済産業省は、半導体技術での協力枠組みに合意していた。
英国政府が6月13日に公開し、14日に更新した資料では、UKSCとラピダスの正式なパートナーシップについて、英国半導体セクターが最先端チップ製造に接続するための経路をつくるものと説明している。最先端チップは人工知能(AI)や次世代通信、データセンターなどの基盤となる部品で、各国が産業競争力と経済安全保障の両面から重視している。
ラピダスは北海道千歳市の拠点「IIM-1」で、2nm世代ロジック半導体の量産技術開発を進めている。同社は2027年の量産開始を目標に掲げており、今回のUKSCとの連携は、量産準備と並行して国際協力の接点を広げる取り組みとなる。
実行計画の具体化が焦点
現時点で確定しているのは、MOUの締結と、先端半導体分野で情報共有や意見交換を進める方針だ。共同製造の開始や投資、供給契約が決まったわけではなく、協力項目の詳細な範囲や実行体制、スケジュールは今後の焦点となる。
政府間の技術協力は、実際の研究開発、製造技術、サプライチェーン、人材交流などにどう落とし込めるかで成果が問われる。今回のMOUは、日英の半導体協力が政策文書上の枠組みから、産業実務レベルの連携へ広がり始めたことを示す一歩である。
参考・出典
- UK-Japan Frontier Technology Partnership – GOV.UK
- Tens of thousands of new jobs and more than £18 billion boost to British economy as Prime Minister meets Japanese leader – GOV.UK
- UK-Japan Semiconductors Partnership: joint statement – GOV.UK
- Rapidus Signs MoU with UK Semiconductor Centre for Future Semiconductor Manufacturing
- NEDO Approves Rapidus’ FY2026 Plan and Budget for 2nm Semiconductor Projects Approval covers “Research and Development of 2nm-Generation Semiconductor Integration Technologies and Short TAT Manufacturing Technology Based on Japan–U.S. Collaboration” and “Development of Chiplet, Package Design and Manufacturing Technology for 2nm-Generation Semiconductors” – Information – Rapidus Corporation
- Rapidus Completes 150 Billion Yen Funding Round from Japan Government – Information – Rapidus Corporation
- Rapidus Achieves Significant Milestone at its State-of-the-Art Foundry with Prototyping of Leading-Edge 2nm GAA Transistors First prototypes successfully demonstrate electrical characteristics as the company continues to hit targets leading up to 2027 mass-production – Rapidus株式会社
