東大・NTTが電気のムダを極限まで減らす「次世代AlN系パワー半導体」を発表
東京大学工学系研究科とNTT株式会社の共同研究チームは5月25日、窒化アルミニウム（AlN）系ショットキーバリアダイオード（SBD）の試作で、比オン抵抗0.34 mΩ・cm²、逆方向耐圧400Vを示したと公表した。東京大学は、このオン抵抗をAlN系電子デバイスとして世界最小としている。AlN系パワー半導体の性能向上と実用化に向けた前進となる成果である。
パワー半導体
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次世代パワー半導体で前進、国産結晶がウエハー生産の原価を圧縮
酸化ガリウム（β-Ga2O3、次世代のパワー半導体材料）で先行するノベルクリスタルテクノロジー（埼玉県狭山市、倉又朗人社長）が、ウエハーづくりの原価を大きく下げる新しい結晶育成法を打ち出した。2025年12月22日に公表した内容では、従来法より高価な貴金属の使用を減らし、コストを従来の約1割まで圧縮できる可能性があるという。6インチは2029年、8インチは2035年に出荷を始める計画だ。
古河電工が新「TOFC」開発 耐熱と低ヤング率でパワー半導体の反り抑制へ
古河電気工業は11月27日、一般的な無酸素銅よりヤング率が低い耐熱無酸素銅「TOFC」を発表した。高い耐熱性と熱伝導性を保ちながら、パワー半導体モジュールの反りや変形を抑えることが狙いだ。EVや再エネ設備で発熱と信頼性の両立が課題となるなか、「熱い心臓」を守る素材としてどこまで期待できるのかが問われている。
国産「DMB接合」装置が本格始動 脆い基板も常温で安定実装へ
超音波が走り、基板同士がわずかに沈む。アドウェルズ（福岡県那珂川市、中居誠也社長）が開発した接合技術「DMB（ドット・マトリックス・ボンディング）」を載せた装置が製品化された。一辺40 mm、厚さ3 mmの基板を常温で接合し、割れやすい素材も扱えるという。那珂川市内に新工場を整え、受託接合も始めた。パワー半導体の実装を支える国産の選択肢が増えた。
オンセミ、vGaNパワー半導体発表、電力密度・効率・堅牢性で新基準
オンセミは2025年10月30日（米国時間）、GaN-on-GaN技術を用いた縦型GaN（vGaN）パワー半導体を発表した。AIデータセンターやEVなどエネルギー集約型分野の需要増を受け、電力密度・効率・堅牢性で新たな基準を打ち立てるとし、700Vと1200Vのデバイスをアーリーアクセス顧客へ提供中だ。また、電流を表面ではなく垂直方向に流す設計により、高電圧動作と高速スイッチングを両立し、システム…
