東大・NTTが電気のムダを極限まで減らす「次世代AlN系パワー半導体」を発表
東京大学工学系研究科とNTT基礎研究所の共同研究チームが、窒化アルミニウム（AlN）系ショットキーバリアダイオードを試作し、比オン抵抗0.34mΩ・cm²、逆方向耐圧400Vを達成。AlN系パワー半導体実用化へ前進した。
パワー半導体
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次世代パワー半導体で前進、国産結晶がウエハー生産の原価を圧縮
酸化ガリウム（β-Ga2O3）パワー半導体用ウエハーで先行する埼玉・ノベルクリスタルテクノロジーが、従来より高価な貴金属使用を抑えウエハー原価を従来の約1割まで圧縮できる新結晶育成法を公表。6インチを2029年、8インチを2035年に出荷予定。
古河電工が新「TOFC」開発 耐熱と低ヤング率でパワー半導体の反り抑制へ
古河電気工業が11月27日に発表した耐熱無酸素銅TOFCは、一般無酸素銅よりヤング率を下げつつ熱伝導性と耐熱性を維持し、パワー半導体モジュールの反りや変形を抑制。EVや再エネ機器で発熱と信頼性を両立する“熱い心臓”を守る素材として、その実装性や耐久性が問われる。
国産「DMB接合」装置が本格始動 脆い基板も常温で安定実装へ
アドウェルズが接合技術「DMB（ドット・マトリックス・ボンディング）」搭載装置を製品化。一辺40mm・厚3mmの基板を常温で割れやすい素材も接合、那珂川市に新工場を整備し受託接合を開始、パワー半導体実装の国産選択肢が拡大。産業用途での導入期待が高まる。
オンセミ、vGaNパワー半導体発表、電力密度・効率・堅牢性で新基準
オンセミがGaN-on-GaNの縦型GaNパワー半導体を発表。AIデータセンターやEV向けに700V/1200Vを提供し、高電力密度・高効率と高速スイッチングで小型化を実現。垂直電流設計で高電圧動作と高速スイッチングを両立し、堅牢性も向上。アーリーアクセス顧客へ提供開始。
