ファーウェイ、1.4nm相当の半導体開発へ 設計とアーキテクチャーで性能引き上げ
ファーウェイは上海のISCAS 2026で、新たな半導体進化原則「韜(τ)スケーリング則」を公表。2031年までに1.4ナノメートル相当のトランジスタ密度を持つ高性能半導体設計を目指し、米制裁下で設計・アーキテクチャー重視の路線を示した。
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ファーウェイは上海のISCAS 2026で、新たな半導体進化原則「韜(τ)スケーリング則」を公表。2031年までに1.4ナノメートル相当のトランジスタ密度を持つ高性能半導体設計を目指し、米制裁下で設計・アーキテクチャー重視の路線を示した。