AlN

東大・NTTが電気のムダを極限まで減らす「次世代AlN系パワー半導体」を発表

東京大学工学系研究科とNTT基礎研究所の共同研究チームが、窒化アルミニウム（AlN）系ショットキーバリアダイオードを試作し、比オン抵抗0.34mΩ・cm²、逆方向耐圧400Vを達成。AlN系パワー半導体実用化へ前進した。